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各類干燥柜/低濕柜/防潮柜/除濕柜等用于SMT等行業(yè)的檢測和驗收方法

作者:CEO 時間:2023-03-28

信息摘要:隨著微電子工業(yè)快速向高集成度化、微型化等方向發(fā)展,也對產(chǎn)品的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中的濕敏器件存儲和保管提出了很高的要求。國際印制電路委員會制定標(biāo)準(zhǔn)IPC/JEPCE-033B明確規(guī)定了各類MSD包裝和存放以及車間壽命重置的要求。近年來越來越

各類干燥柜/低濕柜/防潮柜/除濕柜等用于SMT等行業(yè)的檢測和驗收方法

各類干燥柜/低濕柜/防潮柜/除濕柜等用于SMT等行業(yè)的檢測和驗收方法

  隨著微電子工業(yè)快速向高集成度化、微型化等方向發(fā)展,也對產(chǎn)品的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中的濕敏器件存儲和保管提出了很高的要求。國際印制電路委員會制定標(biāo)準(zhǔn)IPC/JEPCE-033B明確規(guī)定了各類MSD包裝和存放以及車間壽命重置的要求。近年來越來越多的生產(chǎn)企業(yè)和研發(fā)企業(yè)開始采用各種方法來防止?jié)駳鈱ζ骷筒牧系挠绊懀M(jìn)而避免對器件本身及產(chǎn)品品質(zhì)的影響。其中使用各類型除濕柜/干燥柜/低濕柜/防潮柜/等是目前最有效的方法。但由于這類設(shè)備開始是由民用慢慢轉(zhuǎn)入工業(yè)應(yīng)用。在生產(chǎn)和計量的標(biāo)準(zhǔn)上目前國內(nèi)外還沒有統(tǒng)一生產(chǎn)和計量標(biāo)準(zhǔn)。本文要闡述的是如何以現(xiàn)有條件來幫助用戶解決這類設(shè)備的計量和驗收,最大限度地正確選用和發(fā)揮設(shè)備的能力?,F(xiàn)在客戶能購買到除濕設(shè)備的原理基本分為:分子篩(電子式)/分子篩+充N2/半導(dǎo)體制冷/干燥壓縮空氣快速除濕法等。不管哪種方法都是要控制柜內(nèi)的相對濕度并保持在設(shè)定值。以用于SMT行業(yè)為例,如果要保證存放的不同等級的芯片按IPC標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,那對設(shè)備的指標(biāo)計量是非常必要的。這樣可以確保你的MSD存放的實際環(huán)境滿足IPC的要求。以前SMT行業(yè)內(nèi)大部分用戶普遍都沒有內(nèi)部驗收標(biāo)準(zhǔn),有的也就用普通濕度表進(jìn)行檢測或以供貨商現(xiàn)場演示為準(zhǔn)。但近年來,目前越來越多的用戶要求提供第三方計量或由供貨商提供證書。不管哪種方法,最后也是涉及的如何計量,按什么標(biāo)準(zhǔn)計量等。并給出結(jié)果。參照目前國內(nèi)具有國家級認(rèn)證資質(zhì)的計量所所提供的對這類設(shè)備的計量服務(wù),用的是環(huán)境試驗設(shè)備(溫濕度試驗箱)關(guān)于濕度部分的計量標(biāo)準(zhǔn)。下面介紹的是關(guān)于這部分相關(guān)的內(nèi)容和解釋。用戶可以按如下方法對設(shè)備自檢或要求第三方按這標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行計量。GB2423電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗中對環(huán)境試驗箱的溫濕計量項目、方法、計算說明計量項目:溫濕度波動度、溫濕度均勻性、溫濕度偏差項目解釋:1)波動度-環(huán)境試驗設(shè)備在穩(wěn)定狀態(tài)下,工作空間中心點參數(shù)隨時間的變化量。2)均勻度-環(huán)境試驗設(shè)備在穩(wěn)定狀態(tài)下,工作空間某一時刻各測試點(溫濕度)之間的差異。3)偏差-設(shè)備在穩(wěn)定狀態(tài)下,工作空間各測量點的實測最高值和實測最低值與標(biāo)稱值的下偏差。計量方法:1*計量在空載條件下進(jìn)行。若帶有負(fù)載,應(yīng)在證書中說明負(fù)載情況。(可以建議客戶用50%的負(fù)載測試)2)*計量濕度點一般應(yīng)選擇設(shè)備使用范圍的上限、下限及中心點,也可根據(jù)用戶需要選擇實際常用的溫濕度點(如設(shè)備主要是運(yùn)行IPC標(biāo)準(zhǔn)MSD低濕保存,那下限5%Rh,中心點10%和和上限20%為建議測試點)計量點的位置:●設(shè)備容積小于2m3時,溫度點9個,濕度點3個●設(shè)備容積大于2m3,溫度點15個,溫度點4個濕度檢測上下兩個點的位置設(shè)定要離頂部和底部分別≥50-150mm。計算方法(以濕度為例):1)波動度:△hf=±(tomax-tomin)/22)均勻度:△hu=Σ(ttmax-ttmin)/nI=13)偏差:△Hmax=Hmax-H標(biāo)其它指標(biāo):如除濕時間,恢復(fù)時間。防靜電等指標(biāo)也是非常重要??捎捎脩艉凸┴浬淌孪燃s定并按雙方接受的指標(biāo)和測試方法在現(xiàn)場測試并驗收。關(guān)于相關(guān)設(shè)備濕度測試的解釋:1)波動度:檢測說明:采樣時間可在每個設(shè)定值到達(dá)后并穩(wěn)定10分鐘開始讀。考慮到除濕設(shè)備用戶關(guān)注的是內(nèi)部的濕度能否滿足IPC標(biāo)準(zhǔn)要求如5%Rh以下長期存放。建議用戶將設(shè)備設(shè)定5%Rh,運(yùn)行到了并穩(wěn)定后。在6-8小時內(nèi)記錄中心點標(biāo)準(zhǔn)濕度計的數(shù)值。并按如下方法計算。(如最大值是8%。最小是3%。波動度=(8-3)%Rh/2=2.5%Rh。用戶可以按設(shè)備中的這項性能指標(biāo)進(jìn)行驗收。建議波動度≤2%為除濕設(shè)備的波動度參考值。2)均勻度:檢測說明:濕度采樣時間可在每個設(shè)定值到達(dá)后并穩(wěn)定10分鐘開始讀??紤]到除濕設(shè)備用戶關(guān)注是內(nèi)部的濕度能否滿足IPC標(biāo)準(zhǔn)要求如5%Rh(或10%Rh/20%Rh等點)以下長期存放。建議用戶將設(shè)備設(shè)定運(yùn)行這個值。到了穩(wěn)定后。讀一段時間內(nèi)柜內(nèi)上中下三點標(biāo)準(zhǔn)濕度計的數(shù)值。并計算。如最大值是8%。最小是3%。波動度=(8-3)%Rh/2=2.5%Rh。用戶可以按設(shè)備中的這項性能指標(biāo)進(jìn)行驗收。建議均勻度:≤3%為除濕設(shè)備的波動度參考值。3)偏差:檢測說明:這個項目按標(biāo)準(zhǔn)可以以上中下三點位置的測試在5%,10%和20%Rh時的各點的最大和最小值。如5%Rh設(shè)定并穩(wěn)定運(yùn)行10分鐘后,測試三點的讀數(shù)。分別計算上下偏差。建議用戶將設(shè)備設(shè)定運(yùn)行這個值。到了穩(wěn)定后。讀一段時間內(nèi)柜內(nèi)上中下三點標(biāo)準(zhǔn)濕度計的數(shù)值,并計算。如最大值是8%最小是3%.上偏差=(8-5)%Rh=3%Rh。下偏差=(3-5)%Rh=-2%Rh.考慮到除濕設(shè)備用戶關(guān)注的是內(nèi)部的實際濕度能否滿足IPC標(biāo)準(zhǔn)要求如在5%Rh(或10%Rh/20%Rh等點)以下長期存放。用戶可以按設(shè)備中的這項性能指標(biāo)進(jìn)驗收。建議偏差以±3%Rh為參考值。(小于10%Rh范圍),±4%Rh(>20%Rh范圍)除濕時間:說明:這個指標(biāo)對使用除濕設(shè)備的用戶非常重要。也是考核產(chǎn)品設(shè)計能力的指標(biāo)之一。測試指標(biāo)是可按客戶和供貨商之間約定的值來檢測。方法:將低濕標(biāo)定過濕度傳感器(如5%Rh)放置在柜體的中間位置。計錄中心點濕度從50%到最低濕度時間。T=Thmax-Thmin。建議:如有環(huán)境條件,這個指標(biāo)可以用從50%Rh降到設(shè)備能達(dá)到的最低濕度值為作為驗收的上下限。沒有條件??梢詸z最低濕度值。低濕恢復(fù)時間:說明:是考核產(chǎn)品在設(shè)計能力指標(biāo)之一。這個指標(biāo)是按客戶和供貨商之間約定的值來檢測。方法:將低濕標(biāo)定過濕度傳感器(如5%Rh)放置在柜體的中間位置,當(dāng)設(shè)備運(yùn)行到設(shè)定濕度并穩(wěn)定10分鐘。打開所有柜門.時間為20秒并關(guān)門。記錄中心點恢復(fù)到設(shè)定濕度的時間。建議:客戶可以最低的運(yùn)行值為驗收值。(如5%Rh以下是日常運(yùn)行值。)環(huán)境濕度可以≤60%Rh為參考。防靜電:說明:是考核產(chǎn)品的設(shè)計能力的指標(biāo)之一。由于除濕設(shè)備大多數(shù)情況運(yùn)行在低濕范圍,靜電的防護(hù)也是客戶要考慮的指標(biāo)。這個指標(biāo)是按客戶和供貨商之間約定的值和相關(guān)驗收標(biāo)準(zhǔn)來檢測。方法:建議按ESDS20.20和IEC-5-1標(biāo)準(zhǔn)對設(shè)備的表面電阻和對低電阻進(jìn)行檢測。建議:按標(biāo)準(zhǔn)測量合格范圍:表面電阻率:Mohm≥Rs≥100Mohm/每平方.對地點阻:1Mohm≤Rg≤1000Mohm。玻璃也需要滿足表面電阻率。

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